El principal fabricante de chips de memoria de China, CXMT, reduce la brecha tecnológica con los líderes Samsung, Hynix y Micron
Los últimos chips de memoria DDR5 de la empresa con sede en Hefei utilizan un proceso de nodo de 16 nm, rompiendo un límite que Washington intentó imponer con sanciones.
ChangXin Memory Technologies (CXMT), el principal productor chino de chips de memoria de acceso aleatorio dinámico (DRAM), ha avanzado su tecnología de fabricación a 16 nanómetros, reduciendo la brecha con los gigantes de la industria Samsung Electronics, SK Hynix y Micron Technology.
La empresa con sede en Hefei ha desarrollado un chip de consumo utilizando el nodo de fabricación de chips avanzado, un logro notable en medio de las sanciones estadounidenses en curso, según un informe de la firma canadiense de investigación de circuitos integrados (CI) TechInsights. El nuevo chip de 16 gigabits (Gb) emplea tecnología DDR5, que se espera que domine el mercado de DRAM hasta 2027.
Con unas medidas de unos 67 milímetros cuadrados, el chip alcanza una densidad de almacenamiento de 0,239 Gb por milímetro cuadrado, según el informe. La última tecnología DRAM G4 de CXMT cuenta con celdas de memoria que son un 20 por ciento más pequeñas que las de su nodo de tecnología G3 anterior.
CXMT ha logrado un “progreso significativo” desde su nodo de generación G1 de 23 nm y G2 de 18 nm, acercándolo mucho más a sus rivales globales en Corea del Sur y Estados Unidos, según el informe.
Los avances de la compañía sirven como referencia para el progreso de China en chips de memoria DRAM a pesar de las sanciones estadounidenses.
